モデル名 |
正方形ビームホモジナイザー PHO−SQシリーズ |
入射ビーム |
レーザー |
エキシマ、YAGレーザーとその高調波、CO2 |
波 長 |
紫外157nmから、可視、IR |
光強閾値 |
平均パワー400W以内、10ns/2J/Pulse(248nmより短波長の場合は要問合せ) |
寿 命 |
パルス100M ショット以上(248nmより短波長の場合は要問合せ) |
ビーム特性 |
均 一 性 |
不均一性≦±5%(RMSは2.5%以下) |
縁急峻性 |
標準タイプ片側縁の幅(FWHM)<10%、オプションで幅<25μm可 |
光発散角 |
コンデンサレンズ後のビーム拡がり角 <10° |
効 率 |
標準タイプ 90%以上、縁急峻タイプ 60% |
サ イ ズ |
正方形、或は長方形、片方向長さMAX=100mm以内御指定可 |
オプション |
サイズ可変 |
ズーム倍率、規格品1.5倍、2倍、3倍(その他特注可) |
縁急峻化 |
片側に縁の幅(FWHM) < 25μm 可 |
高解像度 |
解像度5μm以下 可 (均一化されたビームを投影加工の場合) |
CCD観察系 |
オンラインで照射面観察用高解像度高倍率 CCD光学系 |
予備整形 |
入射レーザーとホモジナイザーのビームサイズ合せ(予備整形)光学系 |
デリバリ系 |
デリバリ光学系、光学システム収納ボックス等カスタマイズ |
ビーム分布均一化の効果 |
均一ビームでの直接照射 |
照射効果が光強度に高度依存の場合、高度均一ビーム分布が必要 |
応用分野 |
 液晶パネルのTFTアニールと光ラビング,CVD/MOCVD/PVD/MOPVD/表面改質 |
均一ビームの再投影加工 |
加工後、穴/溝のサイズ・形状・深さは、ビーム強度に高度依存
全試料面に加工パラメータ、高度な一致性を要求する高精度加工 |
応用分野 |
レーザードリリング・マーキング・スクライビング・カッティング |
ビーム分布縁急峻化効果 |
試料全面に均一照射の課題 |
ビーム移動により試料全面に均一照射する場合、ビーム縁部分の
強度分布は不均一であり、重ねて照射の縁エリアは不均一の要因 |
応用分野 |
液晶パネルTFTアニールと光ラビング,大面積試料MOCVD/表面改質等 |
ビームサイズ可変の効果 |
照射強度・効率・速度等課題 |
ビームサイズを最適な照射強度に合わせて調整出来、効率の向上 |
応用分野 |
微細加工、アニール、表面改質等、特に、条件出す予備実験装置 |
照射面観察光学系の作用 |
試料観察・CCD光学系の仕組 |
当社独自に開発した方法で光学ロスゼロのオンライン観察光学系
蝿目と円筒形レンズアレイ両方対応、同軸照明系+高解像度レンズ |
オンライン観察の不可欠性 |
高精度の位置決め、加工結果のチェック、照射面ビーム分布計測 |
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応用分野 |
微細加工、アニール等の生産ラインに即時の品質チェックも可能 |